Ja PWM, hast also immer kurze Bereiche in denen man die nicht voll durchsteuert.
... also wenn´s PWM ist, dann muss ich dir auf diese Aussage und auch auf einige davor leider widersprechen und würde es gerne berichtigen.
Der FET ist entweder "voll durchgesteuert" oder er "sperrt" ... es gibt keine "kurze Bereiche" dazwischen in denen man Diese nicht voll durchsteuert.
Will ich sowas, dann mach ich das über analoge Steuerspannungen/Steuerstöme und konventionellen Transistoren und entsprechenden Kühlkörper dran.
Bei FET´s macht eine analoge Ansteuerung (...ist auch ein kleines bisschen aufwändiger) in dieser Anwendung keinen Sinn, da Diese sonst bei diesen großen Strömen die sie, bedingt durch ihren niedrigen RDSon im mOhm-Bereich, in der Lage sind zu schalten oder steuern, "ruckzuck" über der Ptot-Kennlinie wären und sich in den "Halbleiterhimmel" verabschieden würden.
Am FET wird auch nicht´s "umgeladen" wie bei normalen Transistoren ... dies ist ja der Vorteil von FET`s. Da diese wie Röhren rein spannungsgesteuert sind, fließt eben über das Gate kein Steuerstrom, der irgend etwas umladen könnte oder müsste.
Und da eben kein Steuerstrom fließt, dienen die Widerstände in der Zuleitung zum Gate auch nicht dazu um irgend etwas abzuflachen. Sie haben alleinig die Aufgabe, den steuernden Ausgang, bei einem Drain-Gate oder Gate-Source-Schluss des FET´s, vor Überlast zu schützen.
Tipp noch wegen den Leiterbahnen. Bei größer zu erwartenden Strömen löte ich immer einen normalen 1,5 qmm Kupferdraht auf, wie er z.B. auch in der NYM-Installationsleitungen
zu finden ist.
LG
Papa Romeo
